Samsung начинает массовое производство 64-слойной V-NAND-памяти

4ec8544c735755e0686a4e1867a2b4c6

 

Спрoс нa флeш-пaмять в мирe пoстoяннo рaстeт. Кoмпaния Samsung oбъявилa о начале массового производства 64-слойных микросхем памяти V-NAND объемом 256 ГБ.

 

Предназначена такая память для использования в серверах, персональных ПК и мобильных устройствах.

 

С момента начала производства, в январе этого года, первого в индустрии SSD-диска, основанного на базе 64-слойной V-NAND-памяти, компания вела работу над накопителями для пользовательских ПК, мобильных устройств, использующих V-NAND. Это относится к впаиваемой UFS-памяти, брендированным SSD-дискам и внешним картам памяти, которые будут представлены позже в этом году.

 

 

Ожидается, что к концу года доля 64-слойного V-NAND будет составлять половину всего объема флеш-памяти, производимого компанией Samsung.

 

Производитель заявляет, что новая 64-слойная память V-NAND плотностью 256 ГБ на 30 % производительнее и на 30 % экономичнее по сравнению с 48-слойной памятью V-NAND с той же плотностью. Отмечается также возросшая надежность новых микросхем.

 


Поделиться: